半导体工艺化学实验报告

时间:2024-01-12 08:34:53 实验报告 我要投稿
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半导体工艺化学实验报告

  在当下社会,报告的适用范围越来越广泛,报告成为了一种新兴产业。我们应当如何写报告呢?下面是小编为大家收集的半导体工艺化学实验报告,希望对大家有所帮助。

半导体工艺化学实验报告

  实验名称:硅片的清洗

  实验目的:

  1.熟悉清洗设备

  2.掌握清洗流程以及清洗前预准备

  实验设备:

  1.半导体兆声清洗机(SFQ-1006T)-1;SC-2

  实验背景及原理:

  清洗的目的在于清除表面污染杂质,包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态,有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等,严重影响少数载流子寿命和表面电导;碱金属如钠等,引起严重漏电;颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等,会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。

  我们这里所用的的是化学清洗。清洗对于微米及深亚微米超大规模集成电路的良率有着极大的影响。SC-1及SC-2对于清除颗粒及金属颗粒有着显著的作用。

  实验步骤:

  1.清洗前准备工作:

  仪器准备:

  ①烧杯的清洗、干燥

  ②清洗机的预准备:开总闸门、开空气压缩机;开旋转总电源(清洗设备照明自动开启);将急停按钮旋转拉出,按下旁边电源键;缓慢开启超纯水开关,角度小于45o;根据需要给1#、2#槽加热,正式试验前提前一小时加热,加热上限为200o。本次实验中选用了80℃为反应温度。

  ③SC-1及SC-2的配置:

  我们配制体积比例是1:2:5,所以选取溶液体积为160ml,对SC-1 NH4OH:H2O2:H2O=20:40:100ml,对SC-2 HCl:H2O2:H2O=20:40:100ml。

  2.清洗实际步骤:

  ① 1#号槽中放入装入1号液的烧杯,待温度与槽中一样后,放入硅片,加热10min,然后超纯水清洗。

  ② 2#号槽中放入装入2号液的烧杯,待温度与槽中一样后,放入硅片,加热10min,然后超纯水清洗。

  ③兆声清洗10分钟,去除颗粒

  ④利用相似相溶原理,使用乙醇去除有机物,然后超纯水清洗并吹干。

  实验结果:

  利用显微镜观察清洗前后硅片图像表面

  清洗前硅片照片

  清洗后的硅片照片

  实验总结:

  清洗过后明显地发现硅片表面不像原来那样油腻,小颗粒明显减少。说明我们此次使用实验方法是正确的,实验结果较为成功。

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