有关pecvd试验报告
有关pecvd试验报告
篇一：设备验收报告——PECVD
设 备 验 收 报 告
注：此报告一式两份，甲方、乙方各存一份。
设备验收报告附文
一、 验收依据
1、年月日，甲、乙双方签订的PDT2A-01型管式PECVD镀膜设备购销合同。
2、年月日，甲、乙双方签订的PDT2A-01型管式PECVD镀膜设备验收细则。
二、 验收项目
1、炉体温度稳定性 2、SiH4/NH3流量 3、系统极限压力 4、系统漏气率 5、工艺压力 6、射频输出功率 7、单机产能 8、设备稳定性 9、工艺效果验证
三、 验收标准、方法
1.
炉体温度稳定性
检验方法：将炉体恒温区5个点的工艺温度设为一致，范围控制在350~500℃之间，保温维持4小时，根据设定值与温控表测量出的实际值相比较得出该指标。 验收标准：5个点的温度波动值控制在±2℃以内
2、 SiH4/NH3流量
检验方法：根据设定值与操作界面显示值相比较得出该指标。
验收标准：≤±1%*总量程；SiH4流量允许偏差为±30sccm，NH3流量允许偏差为±70sccm。
3、 系统极限真空度
检验方法：工艺温度下（推荐450℃），正常启动抽真空流程，观察限定时间内（这里要求5分钟内）腔体真空压力的极限值。
验收标准：5分钟内真空压力降到5Pa以下。
4、 系统漏气率
检验方法：工艺温度下（推荐450℃），将炉体内压力用真空泵抽至真空状态，保压，点击屏幕上的“漏气率检测”栏，查看1分钟、5分钟、24小时内系统的平均漏气率。 验收标准：3Pa/min。
5、
工艺压力
检验方法：工艺压力设定值和实际值之间的偏差。 验收标准：±5Pa
6、 射频输出功率
检验方法：设备正常运行过程中，射频电源输出功率的波动范围。 验收标准：±100W
7、 单机产能
检验方法：不考虑装卸舟操作过程，正常执行标准工艺配方，测算10批的平均工艺节拍。 验收标准：工艺节拍32min/批，168片/批（125mm硅片）
8、 设备稳定性
检验方法：设备进入试用期，稳定批量生产一周，无严重故障（指不发生导致生产过程停止的设备故障；排除人为因素）。 验收标准：设备稳定运行一周。
9、 工艺效果验证
检验方法：正常执行标准工艺配方，随机抽取3批（舟），每批（舟）插入10片抛光硅片（客户自购或自制），每片随机测量5个点，根据150个膜厚、折射率的实测值得出均匀性指标。 片内均匀性的计算方法为：[(Max-Min)/(Max+Min)] *100%（Max为每片5个测量值中膜厚、折射率最大值；Min为每片5个测量值中膜厚、折射率最小值）。
片间均匀性的计算方法为：[(Max-Min)/(Max+Min)] *100%（Max为每批10片中膜厚、折射率平均值的最大值；Min为每批10片膜厚、折射率平均值的最小值）。
批间均匀性的计算方法为：[(Max-Min)/(Max+Min)] *100%（Max为3批中每批膜厚、折射率平均值的最大值；Min为3批中每批膜厚、折射率平均值的最小值）。 测试手段：椭圆偏振仪，抛光硅片。 验收标准：
膜厚：片内、片间均匀性均小于±5%，批间均匀性小于±4%（以75±5nm为中心值）。 折射率：片内、片间、批间均匀性均小于±3%（以2.05±0.05为中心值）。
四、 验收结果附表
篇二：半导体工艺实验报告 【交大】
半导体制造工艺实验
姓名：章叶满 班级：电子1001 学号：10214021
一、氧化
E3:25.1:1.
go athena
#TITLE: Oxide Profile Evolution Example
# Substrate mesh definition
line y loc=0 spac=0.05
line y loc=0.6 spac=0.2
line y loc=1
line x loc=-1spac=0.2
line x loc=-0.2 spac=0.05
line x loc=0 spac=0.05
line x loc=1 spac=0.2
init orient=100
# Anisotropic silicon etch
etch silicon left p1.x=-0.218 p1.y=0.3 p2.x=0 p2.y=0
# Pad oxide and nitride mask
deposit oxide thick=0.02 div=1
deposit nitride thick=0.1 div=1
etch nitride left p1.x=0
etch oxideleft p1.x=0
# Field oxidation with structure file output for movie
diffuse tim=90 tem=1000 weto2 dump=1 dump.prefix=anoxex01m
tonyplot -st anoxex01m*.str
structure outfile=anoxex01_0.str
quit
实验截图:
实验分析：
当氧扩散穿越已生长的氧化剂时，它是在各个方向上扩散的。一些氧原子纵向扩散进入硅，另一些氧原子横向扩散。这意味着在氮化硅掩膜下有着轻微的侧面氧化生长。由于氧化层比消耗的硅更厚，所以在氮化物掩膜下的氧化生长将抬高氮化物的边缘。这就是LOCOS氧化工艺中的“鸟嘴效应”。这种现象是LOCOS氧化工艺中不受欢迎的副产物。氧化物较厚时，“鸟嘴效应”更显著。为了减小氮化物掩膜和硅之间的应力，在它们之间热生长一层薄氧化层—垫氧。或者可以使用浅槽隔离技术来代替LOCOS，这样就可以避免“鸟嘴效应”。
E3:25.1:2.
go athena
#TITLE: Mixed Ambient Oxidation Example
# This example demonstrates mixed ambient oxidation in 1D
#
foreach gas (2. to 8. step 2.)
#
line x loc=0.0 sp=1.0
line x loc=1.0 sp=1.0
line y loc=0.0 sp=0.05
line y loc=1.0 sp=0.05
initialize
#
diffuse time=60 temperature=1000 f.o2=gas f.h2=20.
structure outfile=anoxex02_gas.str
#
end
tonyplot -st anoxex02*.str
quit
实验截图
:
实验分析：
实验描述的是当气流中通过四种不同浓度比的由氧气、水、氢、氮构成的混合气体时Si氧化成SiO2的不同程度，其中参数F.O2, F.H2O, F.H2, F.N2是每个气流中流的氧气、水、氢、氮的扩散语句。由图可以看出，不同的气体比例会得到不同的氧化效果。潮湿的氧化环境水蒸气在二氧化硅中扩散的更快、溶解度更高，更有利于硅氧化生长速率的加快。而无论是何种程度的氧化，二氧化硅的生长都是要消耗硅的，氧化生长的越多，硅消耗的越多。硅消耗的厚度占氧化物总厚度的0.46。氧化物生长发生在氧分子通过已生成的二氧化硅层运动进入硅片的过程中。
E3:25.1:9. go athena
#TITLE: Orientation dependent Oxidation Example
line y loc=0 spac=0.1
line y loc=4 spac=0.1
line x loc=-1 spac=0.1
line x loc=1 spac=0.1
#
#initialize with orientation of sidewalls along 100 direction init orient=100 rot.sub=0
method gridinit.ox=0.02 grid.ox=0.02
# Anisotropic silicon etch
etch silicon right p1.x=0.0 p1.y=2.0 p2.x=0.0 p2.y=0.0
# Field oxidation
diffuse time=20 tem=1000 wet
#
#
extract name="toxx" thickness oxide mat.occno=1 x.val=0.50 extract name="toxy" thickness oxide mat.occno=1 y.val=1.05
# Save the structure
structure outfile=anoxex09_1.str
line y loc=0 spac=0.1
line y loc=4 spac=0.1
line x loc=-1 spac=0.1
line x loc=1 spac=0.1
#
#initialize with orientation of sidewalls along 110 direction init orient=100 rot.sub=45
# Anisotropic silicon etch
etch silicon right p1.x=0.0 p1.y=2.0 p2.x=0.0 p2.y=0.0
# Field oxidation
diffuse time=20 tem=1000 wet
篇三：(PECVD工序长)
GT-人事-15