电子技术基础试题整理

试题 时间:2017-08-02 编辑:凌婉 手机版
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  电子技术,是指“含有电子的、数据的、磁性的、光学的、电磁的、或者类似性能的相关技术”.下面是小编为你带来的电子技术基础试题整理 ,欢迎阅读。

  电子技术基础试题一

  1、半导体的导电能力随温度变化而变化;

  2、P型半导体又称为空穴半型半导体;

  3、PN结的P区接电源正极、N区接电源负极的接法叫做正偏;

  4、PN结的P区接电源正极、N区接电源负极的接法叫做反偏;

  5、PN结正向偏值时处于导通状态;

  6、PN结反向偏值时处于截止状态;

  7、硅二极管的正向电压为0.7V,锗管为0.3V;

  8、对于质量良好的二极管,其正向电阻一般为几百欧姆;

  9、稳压二极管广泛应用于稳压电源与限幅电路中;

  10、变容二极管的反向偏压越大,其结电容越大;

  电子技术基础试题二

  1、肖特基二极管不是利用P型与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属—半导体结原理制作的;

  2、PNP与NPN型晶体管的工作原理相同,只是使用时电源连接极性不同;

  3、PNP型与NPN型晶体管都有集电极、基级和发射极三个电极;

  4、PNP型与NPN型晶体管都有集电区、基区和发射区三个区;

  5、晶体管三个电极间的关系为Ie=Ib+Ic;

  6、晶体管的三种工作状态是截止、饱和与放大;

  7、晶体管处于截止状态时集电极与发射极之间相当于开路;

  8、晶体管处于饱和状态时集电结与发射结并不是均为反偏;

  9、一般的,晶体管的温度升高后工作稳定性将变差;

  10、晶体管的交流电流放大系数的值一般为20—200;

  电子技术基础试题三

  1、晶体管具有电流放大作用的内部条件是基区很薄、集电结面积大;

  2、晶体管放大作用的实质是用一个小电流控制一个大电流;

  3、晶体管的击穿电压与温度有关,会发生变化;

  4、PNP型与NPN型晶体管都可以看成是反向串联的两个PN结;

  5、带阻尼晶体管是将晶体管、阻尼二极管、与保护电阻封装在一起构成的;

  6、差分对管是将两只性能参数相同的晶体管封装在一起构成的;

  7、达林顿管的放大系数很高,主要用于高增益放大电路等;

  8、场效应晶体管可分为结型和绝缘栅型两大类;

  9、结型场效应不仅仅依靠沟道中的自由电子导电;

  10、场效应晶体管的输出特性曲线可分为四个区域;

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